サムスン電子、半導体Ｒ＆Ｄ施設を着工 28年までに150億ドル投資 – ロイター

         

新施設はソウル南方の器興に建設され、半導体メモリとシステム半導体用の次世代デバイスとプロセスに関する先端研究のほか、長期ロードマップに基づく新しい

新施設はソウル南方の器興に建設され、半導体メモリとシステム半導体用の次世代デバイスとプロセスに関する先端研究のほか、長期ロードマップに基づく新しい ...続きを確認する

 - 未分類

 - 

 - トップページへ戻る