Infineon、「世界初」の300mm GaNパワー半導体量産施設を新設へ：27年末までに生産開始

         

Infineon Technologiesが、オーストリアのフィラッハ拠点に300mmウエハーを用いた窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の量産施設を設立すると発表した。

Infineon Technologiesが、オーストリアのフィラッハ拠点に300mmウエハーを用いた窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の量産施設を設立すると発表した。 ...続きを確認する

 - 未分類

 - 

 - トップページへ戻る